Samsung ประกาศเริ่มสายการผลิตชิปความจำ V-NAND รุ่นที 7 มีชั้นเลเยอร์สูงถึง 176 เลเยอร์ เตรียมใส่ใน SSD สำหรับผู้ใช้งานทั่วไป (Samsung 990-series) เร็ว ๆ นี้
-
ด้วยจำนวนชั้นเลเยอร์ที่สูง และขนาดเซลล์ที่เล็กที่สุดในวงการ จะทำให้มีความเร็วในการส่งข้อมูลได้มากถึง 2 Gbps I/O เลยทีเดียว รองรับได้ทั้ง PCIe 4.0 และ PCIe 5.0 เห็นผลเรื่องความเร็วชัดเจนแน่นอน
-
Samsung ยังบอกอีกว่า SSD รุ่นใหม่นั้นจะออกแบบมาให้ทำงานหลาย ๆ อย่างพร้อมกัน และการโหลดข้อมูลขนาดใหญ่ได้เป็นอย่างดี อย่างเช่นงานด้านการเรนเดอร์ 3D และการตัดต่อวิดีโอ
-
ชิปใหม่ยังจัดการพลังงานได้ดีกว่าเดิมถึง 16% และยังสามารถนำเอาไปติดตั้งใช้งานใน Data Center ได้เช่นกัน
-
ที่มา https://www.notebookcheck.net/Samsung-will-soon-release-PCIe-5-0-NVMe-SSDs-with-176-Layer-V-NAND-memory.544321.0.html
by RecCaz